Mosfet canale p

Interruttore mosfet a canale p

Un MOSFET a canale P usa il flusso di buchi come portatore di carica, che ha meno mobilità del flusso di elettroni usato nei MOSFET a canale N. In termini funzionali, la differenza principale è che i MOSFET a canale P richiedono una tensione negativa dal gate alla sorgente (VGS) per accendersi (al contrario di un MOSFET a canale N, che richiede una tensione VGS positiva). Questo rende i MOSFET a canale P la scelta ideale per gli interruttori high-side. La semplicità del design è vantaggiosa per applicazioni di azionamenti a bassa tensione e POL non isolati, dove lo spazio è limitato. Uno dei grandi vantaggi delle caratteristiche dei MOSFET a canale P è la tecnica semplificata di pilotaggio del gate che spesso riduce il costo complessivo.
I MOSFET di potenza a canale P, compresa la gamma di prodotti P-Channel MOSFET -12V, sono ideali per la protezione delle batterie, la protezione contro l’inversione di polarità, i caricabatterie lineari, il carico commutato, i convertitori DC-DC e le applicazioni di azionamento a bassa tensione. I MOSFET a canale P, come la gamma di prodotti P-Channel MOSFET -30V, sono spesso utilizzati nell’elettronica di consumo, come notebook, laptop, telefoni cellulari e PDA.

Funzionamento del mosfet a canale p

Un MOSFET (Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) è un dispositivo semiconduttore che può essere usato come un interruttore a stato solido. Questi sono utili per controllare i carichi che assorbono più corrente, o richiedono una tensione più alta, di quella che un pin GPIO può fornire. Nel loro stato spento, i MOSFET non sono conduttivi, mentre nel loro stato acceso, hanno una resistenza estremamente bassa – spesso misurata in milliohm. I MOSFET possono essere usati solo per commutare carichi DC.
I MOSFET commutano solo la corrente che scorre in una direzione; hanno un diodo tra la sorgente e il drenaggio nell’altra direzione (in altre parole, se il drenaggio (su un dispositivo a canale N) scende sotto la tensione sulla sorgente, la corrente fluirà dalla sorgente al drenaggio). Questo diodo, il “body diode” è una conseguenza del processo di fabbricazione. Questo non deve essere confuso con il diodo a volte posto tra il drenaggio e l’alimentazione per il carico – questo è separato, e dovrebbe essere incluso quando si guida un carico induttivo.
In un MOSFET a canale N, la sorgente è collegata a terra, il drenaggio al carico, e il FET si accende quando viene applicata una tensione positiva al gate. I MOSFET a canale N sono più facili da lavorare e sono il tipo più comunemente usato. Sono anche più facili da produrre, e quindi sono disponibili a prezzi più bassi con prestazioni più elevate rispetto ai MOSFET a canale p.

Transistor darlington

A differenza dei prodotti commerciali standard, i prodotti HiRel devono essere sottoposti a vari livelli di test di conformità della qualità per garantire che i prodotti siano in grado di funzionare secondo le specifiche negli ambienti spesso difficili delle applicazioni militari e spaziali. Sia gli Stati Uniti che la comunità europea hanno sviluppato specifiche che dettagliano la sequenza dei test di conformità della qualità.
Negli Stati Uniti, la Defense Logistics Agency (DLA) è l’agenzia di controllo e ha emesso delle specifiche che regolano la sequenza dei test di conformità della qualità eseguiti sui dispositivi a semiconduttore e sui moduli ibridi, ovvero MIL-PRF-19500/MIL-STD-750, MIL-PRF-38534/MIL-STD-883 e MIL-PRF-38535/MIL-STD-883.
MIL-PRF-19500/MIL-STD-750 sono le specifiche di controllo per semiconduttori discreti come diodi e MOSFET di potenza. MIL-PRF-19500 impone che i semiconduttori discreti siano prodotti secondo i livelli JAN, JANTX, JANTXV o JANS (Nota: il livello JAN non è consentito per i MOSFET).
International Rectifier HiRel Products Group produce e testa i prodotti ermetici secondo uno dei tre livelli di conformità di qualità distinti: (1) commerciale ermetico, (2) disegno di controllo della fonte (SCD), o (3) qualificato MIL-PRF-38534, MIL-PRF-38535.